Keywords:
surface structure, morphology, roughness and topography; surface reconstruction; semiconductor surfaces; faceting; strain; high-index single chrystal surface; chemisorption; scanning tunneling microscopy; low-energy electron diffraction; reflection high-energy electron diffraction; surface X-ray diffraction; silicon; germanium; indium; lead; antimony; bismuth

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0 Inhaltsverzeichnis inhalt.ps (107k)

1 Einleitung einleitung.ps 144k

2 Die Halbleiter-Oberfläche (gzipped ps) (205k)

2.1 Grundprinzipien der Rekonstruktion

2.2 Konventionen zur Bezeichnung der Rekonstruktionen

2.3 Facettierung von Oberflächen und Equilibrium Crystal Shape

3 Die verwendeten Meßverfahren (gzipped ps) (646k)

3.1 Der reziproke Raum

3.2 LEED

3.3 RHEED

3.4 SXRD

3.5 STM

3.5.1 Das Meßprinzip

3.5.2 Theoretische Beschreibung

4 Beschreibung des experimentellen Aufbaus aufbau.ps (199k)

4.1 Das UHV-Experiment

4.2 Befestigung der Proben

5 Die Ge(001)- und Si(001)-Oberflächen im Vergleich (gzipped ps) (943k)

5.1 Volumeneigenschaften

5.2 Das Dimer-Modell

5.3 Abbildungseigenschaften von Ge- und Si-Dimeren im STM

5.4 Terrassen- und Domänenstruktur

5.5 Die Probenpräparation

Si(001)

Ge(001)

6 Pb auf Ge(001)- und Si(001)-Oberflächen (gzipped ps) (3.8M)

6.1 Einleitung

6.1.1 Pb/Si(111) und Pb/Ge(111)

6.1.2 Pb/Si(001)

6.1.3 Pb/Ge(001)

6.2 Probenpräparation

6.3 Pb/Ge(001): Messungen und Diskussion

6.3.1 Das Präparationsdiagramm

6.3.2 Ge(001)(2x2)-Pb

6.3.3 Ge(001)c(8x4)-Pb

6.3.4 Substitutionelle Pb-Dimere

6.3.5 Ge(001)(2103)-Pb

6.3.6 Ge(001)c(8x4)i-Pb

6.3.7 Mikrofacettierung

6.3.8 Ge(001)(1x5)-Pb

6.3.9 Die Rauhe Phase

6.4 Pb/Si(001): Messungen und Diskussion

6.4.1 Die ``leichte'' c(8x4)-l Rekonstruktion und die (4x2)-Rekonstruktion

6.4.2 Der Bedeckungsbereich zwischen c(8x4)-l und (2x1)

7 In auf Ge(001)- und Si(001)-Oberflächen (gzipped ps) (2.4M)

7.1 Einleitung

7.1.1 (Al,Ga,In)/Si(111) und (Al,Ga,In)/Ge(111)

7.1.2 (Al,Ga,In)/Si(001)

7.1.3 (Al,Ga,In)/Ge(001)

7.2 Probenpräparation

7.3 In/Ge(001): Messungen und Diskussion

7.3.1 Das Präparationsdiagramm

7.3.2 Ge(001)(2x2$)-In

7.3.3 Ge(001)(3x3)+(4x3)-In und In-Cluster

7.3.4 Ge(001)(5x4)-In

7.3.5 Ge(001)(nx4)-In

7.4 STM- und SXRD-Messungen an Si(001)(3x4)-In

7.5 Strukturmodell der Ge(001)(nx4)-In Rekonstruktion

8 Sb auf Ge(001)-Oberflächen (gzipped ps) (1.4M)

8.1 Einleitung

8.1.1 (As,Sb,Bi)/Si(111) und (As,Sb,Bi)/Ge(111)

8.1.2 (P, As, Sb, Bi) auf Si(001)-Oberflaechen

8.1.3 (As,Sb,Bi)/Ge(001)

8.2 Probenpräparation

8.3 Messungen an Sb auf Ge(001) und Diskussion

8.3.1 Adsorption und Dissoziation von Sb_4-Molekülen

8.3.2 Durchmischung von Sb- und Ge-Lagen

8.3.3 Chemischer Kontrast auf Ge(001)(2x1)-Sb

8.3.4 Morphologie der vollständig Sb-terminierten Ge(001)-Oberfläche: Antiphasen- und Stressdomaenen

8.3.5 Sb-Verarmung

9 Facettierte Halbleiteroberflächen (gzipped ps) (3.0M)

9.1 Facettierung verspannter Adsorbatschichten: Ge/Si(001)

9.1.1 Einleitung

9.1.2 Überblick: Wachstum von Ge Hut-Clustern auf Si(001)

9.1.3 Probenpräparation

9.1.4 STM-Messungen

9.1.5 LEED-Messungen

9.1.6 SXRD-Messungen

9.2 Adsorbat-induzierte Facettierung: In/Ge(001)

9.2.1 Überblick: adsorbat-induzierte Facettierung von Substratoberflächen

9.2.2 Überblick: {103}-Facettierung von Si(001)- und Ge(001)-Oberflächen durch Al und In

9.2.3 Probenpräparation

9.2.4 Entwicklungsstadien der Facettierung

9.2.5 Beugung an der regelmässig facettierten Oberfläche

LEED-Messungen

SXRD-Messungen

9.2.6 Strukturmodell der {103}-facettierten Oberfläche

9.2.7 Abhängigkeit der Prismenbreite von der Präparation

9.2.8 Facettierung auf vizinalen Substraten

10 Ge(103)- und Si(103)-Oberflächen (gzipped ps) (2.4M)

10.1 Einleitung: hochindizierte Halbleiteroberflächen

10.2 Die ideale (103)-Oberfläche

10.3 Probenpräparation

10.4 Ge(103)(4x1)

10.5 Ge(103)(1x1)-In

10.6 Sb-induzierte {113}-Facettierung der Ge(103)-Oberfläche

10.7 Struktur der Si(103)-Oberflaeche

10.8 Si(103)(1x1)-In

10.9 Sb/Si(103) und Si(103)(1x1)-Bi

10.10 Vergleichende Diskussion: (III,V)/IV(103) Adsorbatsysteme

11 Zusammenfassung und Ausblick zusammenfassung.ps (118k)

Literaturverzeichnis biblio.ps (118k)