Kurzfassung
Im Rahmen dieser Arbeit wurden komplexe (Al)GaAs--Heterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Zunächst
wird auf die Installation und Inbetriebnahme der MBE--Anlage eingegangen. Mit dieser Anlage wurden im folgenden zunächst
erfolgreich Standardheterostrukturen, wie HEMTs (High Electron Mobility Transistor), Quantum Wells und MIS
(Metal--Insolator--Semiconductor)--Strukturen realisiert. Den Schwerpunkt der vorliegenden Arbeit bildet die
Herstellung, Präparation und Spektroskopie an modulationsdotierten, parabolischen (Al)GaAs--Heterostrukturen. Nach dem MBE--
Wachstum der Proben erfolgte die weitere Präparation mittels Lithographie, Ätzprozessen und dem thermischen Aufdampfen von
Gatemetallen. Diese Systeme wurden dann mit Ferninfrarot--, Kapazitäts-- und Raman--Spektroskopie untersucht.
Es wurden zunächst analoge Wachstumsprozesse zur Herstellung modulationsdotierter Einfach--Quantum Wells mit parabolischem
Potential erarbeitet und optimiert. Durch FIR-- , Kapazitäts-- und Raman--Spektroskopie konnte gezeigt werden, daß der
entwickelte Wachstumsprozeß sehr gut zur Realisierung des angestrebten parabolischen Profils geeignet ist. Mit diesen
Erfahrungen wurde dann erfolgreich ein parabolischer Doppel--Quantum Well gewachsen. Die FIR--Messungen an dieser Probe
zeigen ein komplexes Spektrum. Durch einen Vergleich mit selbstkonsistenten Rechnungen wird gezeigt, daß dieses Spektrum
sehr stark durch Vielteilchen--Effekte beeinflußt wird und diese bei der Interpretation berücksichtigt werden müssen.
Neben den Messungen an den Elektronensystemen von vollständigen parabolischen Quantum Wells wurde das Elektronensystem eines
halben parabolischen Quantum Wells als neuartiges Backgate in MIS--Strukturen eingesetzt und untersucht. Ziel ist hier, die
Eigenschaften des erzeugten zweidimensionalen Elektronengases in den MIS--Strukturen zu optimieren.
This thesis contains the growth of complex (Al)GaAs--heterostructures using molecular beam epitaxy (MBE). I first describe the installation of a MBE system. With this machine standard heterostructures have been grown successfully such as High Electron Mobility Transistors (HEMTs), quantum wells and Metal--Insulator--Semiconductor (MIS)--structures. The main part of the following thesis focuses on the preparation and investigation of modulation--doped parabolic (Al)GaAs--heterostructures and quantum wells. After they were grown in the molecular beam epitaxy system the samples were further processed with lithography, etching and thermically evaporation of metals. These systems were investigated with Far Infrared--, capacitance- - and Raman--spectroscopy. We used the analogue growth technique to grow the parabolic samples. From the evaluation of our measurements we demonstrate the modulation--doped single parabolic quantum wells have parabolic potential to a good approximation. This indicates that the developed procedure is well suitable to fabricate parabolic quantum wells. Furthermore, a double parabolic quantum well was designed and grown. Far Infrared measurements were compared with self--consistent calculations. We find that many body effects are essential for the interpretation of our data. Capacitance measurements and electron density dependent Raman-- spectroscopy were also performed on this sample. In order to optimize MIS--samples, the electron system of a half parabolic quantum well is used as a new type of backgate. Aim of this design was to optimize the quality of the two--dimensional electron system in this type of sample.