Kurzfassung
UV/Ozon-erzeugte Oxydschichten auf Indiumarsenid(100)-Oberflächen
wurden mittels röntgen- und UV-angeregter Photoelektronenspektroskopie
(XPS bzw. UPS), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), RHEED
(reflection high energy electron diffraction),
Rastertunnelelektronenmikroskopie (STM) und Rasterkraftmikroskopie
(AFM) untersucht. Bei der thermischen Desorption des Oxyds unter
Arsen-Gegendruck konnten charakteristische Veränderungen der
Oberflächenmorphologie nachgewiesen werden. Kristalline und oxydfreie
Oberflächen wurden mittels einer schnellen Temperaturerhöhung (flash)
erzielt. Die Desorptionsphasen bis hin zur kristallinen Oberfläche sind
in einem Modell zusammengefaßt. Zwei bisher nicht identifizierte
chemical shifts des röntgenangeregten In3d-peaks konnten dem In2O3 in
unterschiedlicher Entfernung zur Grenzfläche zugeordnet werden.
Charakteristika der Transporteigenschaften von MOS-Strukturen mit
UV/Ozon-oxydierten InAs(100)-Oberflächen konnten auf die
In2O3-Inselbildung bei höheren Temperaturen zurückgeführt werden. Die
Experimente liefern neue Ergebnisse bezüglich der oxydierten
InAs(100)-Oberfläche und zeigen das hohe Potential der Kombination
analytischer und mikroskopischer Methoden für eine umfassende
Untersuchung der Oberflächenstruktur.
: UV/ozone grown oxides on Indiumarsenide(100) surfaces are studied by means of X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy (XPS and UPS, respectively), transmission electron microscopy (TEM), reflection high energy electron diffraction (RHEED), scanning tunneling microscopy (STM), and atomic force microscopy (AFM). Thermal oxide desorption experiments in an arsenic atmosphere revealed characteristic changes in the morphology of the surface. Crystalline and oxide free surfaces are obtained by a rapid rise of temperature (flash). The steps of the oxide desorption up to the crystalline surface are summarized in a model. Two up to now not identified chemichal shifts of the X-ray excited In3d-peak could be related to In2O3 at two different distances to the interface. Electronic transport properties of MOS-structured devices with UV/ozone grown oxides on InAs(100) could be related to In2O3 islands formed at higher temperatures. The experiments yielded new results of oxidised InAs(100) surfaces and demonstrate the high potential of the combination of complementary analytical and microscopic tools for comprehensive evaluation of the surface structure.