Kurzfassung
Ausgehend von HgTe/CdTe Quantentöpfen werden
``metal-oxid-semiconductor'' (MOS) Kondensatoren hergestellt, die es
erlauben, die Dichte des zweidimensionalen Elektronensystems in den
Quantentöpfen in einem weiten Bereich zu variieren. Es werden
grundlegende physikalische Eigenschaften der HgTe/CdTe Quantentöpfe
wie das Kreuzen von Landauniveaus des Leitungs- und Valenzsubbandes
bei einem kritischen Magnetfeld Bc und die
füllfaktorabhängige Aufspaltung der Zyklotronresonanz mit
Ferninfrarotspektroskopie untersucht. Es werden lochartige Anregungen
beobachtet und deren Polarisation nachgewiesen. Erstmals werden die
Eigenschaften von HgTe/CdTe Quantentöpfen auch mit
Magnetokapazitätsmessungen charakterisiert. Die experimentellen
Ergebnisse werden mit Bandstrukturrechnungen in einem 6\times
6 k* p-Modell verglichen.
Der
Einfluß des Rashba-Effektes auf das Leitungssubband wird in
Abhängigkeit von der Ladungsträgerdichte untersucht.
Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors on HgTe/CdTe quantum wells are prepared. In these devices, the density of the two-dimensional electron system in the quantum well can be tuned in a wide range. Fundamental physical properties of HgTe/CdTe quantum wells like the crossing of conduction- and valence-subband Landau levels and filling factor dependent splittings of the cyclotron resonance are investigated by far-infrared spectroscopy. We detect hole-like resonances and determine their polarization dependence. For the first time properties of HgTe/CdTe quantum wells are characterized by capacitance measurements. The experimental results are compared with the results of a 6\times 6 k* p model. The influence of the strength of the Rashba-effect on the conduction subband is studied for various electron densities.