Thomas M. Hengstmann , Dissertation, Fachbereich Physik der Universität Hamburg, 2001 :

"Hall- und Bend-Widerstands-Magnetometrie an mikro- und nanostrukturierten Ferromagneten"


Schlagwörter: Hall- und Bend-Widerstands-Magnetometrie
PACS : 75.60
Summary

Kurzfassung

In dieser Arbeit werden ferromagnetische Mikro- und Nanostrukturen aus dem konventionellen Ferromagneten Nickel (Ni) und der Legierung Permalloy (Ni80Fe20) untersucht. Mikro- und nanostrukturierte Ferromagnete spielen eine bedeutende Rolle in zukünftigen magneto- und spinelektronischen Anwendungen. Die magnetischen Eigenschaften der ferromagnetischen Strukturen können durch die äußere Form maßgeschneidert eingestellt werden. Mit Hilfe des Verfahrens der Hall-Magnetometrie wird das Streufeld der ferromagnetischen Strukturen lokal vermessen, da es einen Beitrag zum Hall-Effekt hat. Das Feld wird über die Fläche des Hall-Kreuzes gemittelt. Die Auflösung der Hall-Magnetometrie ist deshalb auf die Sensorfläche des Hall-Kreuzes beschränkt. Zur Verbesserung der Auflösung wird in dieser Arbeit der Bend-Widerstand verwendet. Bei dem Bend-Widerstand wird der Strom um eine Ecke 'gebogen' und die Spannung an der gegenüber liegenden 'Ecke' abgegriffen. Es wird nur ein Teil der Sensorfläche abgetastet. Mit dem Hall- und Bend-Widerstand wurden verschiedene Materialien und Strukturen untersucht:

Zum besseren Verständnis der Daten wurden umfangreiche mikromagnetische Simulationen durchgeführt. Damit wurden die Nanodisks und das Zwei-Mikromagnet-System detailliert untersucht.

Titel

Kurzfassung

Summary

In this work ferromagnetic nano- and microstructures made out of Nickel (Ni) and the alloy Permalloy (Ni80Fe20) have been investigated. Ferromagnetic micro- and nanostructures may play an important role in future magneto- and spinelectronic applications. The magnetic characteristics of micro- and nanostructures is determined by their outer dimensions. Hall magnetometry, a powerful method, is used to investigate the stray field of individual ferromagnetic structures on a local scale. The Hall effect averages over the area of the cross junction. For this, the resolution is limited to this sensor area. This method has been improved in this work by using a different kind of resistance, the so-called bend resistance. In the latter case, the current is bend around one corner of the cross and the voltage is probed at the opposite corner. As a result, the bend resistance is found to enhance the spatial resolution. By this means, different materials and structures were investigated:

Micromagnetic simulations have been performed to interpret in detail the results obtained from experiments on nanodisks and two-micromagnet-systems.