Diese Arbeit befasst sich mit nichtlinearen Verlusten, die bei hohen Inversionsdichten in Yb:YAG-Scheibenlasern auftreten und einen effizienten Laserbetrieb verhindern. Die spektroskopischen Eigenschaften, die lichtinduzierte elektrische Leitfähigkeit sowie die Scheibenlasereigenschaften von Yb:YAG werden untersucht, um die zugrundeliegenden Prozesse zu identifizieren und in einem Modell zu beschreiben.
Absorptions- und Emissionsmessungen an Yb:YAG Kristallen bei hohen Anregungsdichten zeigen, dass ein Teil der Yb3+ Anregungsenergie nichtstrahlend verloren geht. Eine Sättigung des 4fn–4fn Übergangs bei 940 nm tritt nicht wie erwartet ein. Anhand der Ergebnisse wird gefolgert, dass mehrere angeregten Yb3+-Ionen in einem kooperativen Prozess nichtstrahlend relaxieren. Dies wird durch die überlineare Pumpleistungsabhängigkeit der lichtinduzierten Leitfähigkeit von Yb:YAG bestätigt. Dabei werden durch Yb3+-Anregung freie Ladungsträger generiert. Die Bestimmung des Ladungsträgertyps zeigt, dass Löcher im Valenzband die Majoritätsträger in Yb:YAG Laserkristallen sind.
Auf Grundlage dieser Erkenntnisse wird ein Modell für die Erzeugung freier Ladungsträger durch Anregung von Yb3+ Ionen entwickelt. Es beschreibt einen kooperativen Mechanismus, bei dem mehrere Yb3+ Ionen gleichzeitig relaxieren. Durch phononen-unterstützte Energietransfer-Upconversion wird dabei ein Verlustzentrum generiert, das aus einem transienten Yb2+ Ion und einem an einen Sauerstoffliganden gebundenen Loch besteht. Diese transienten Zentren zerfallen bei Raumtemperatur nichtstrahlend, was zur Erwärmung des Kristalls führt. Durch Absorption nahinfraroter Strahlung kann ein Valenzbandelektron in das gebundene Loch angeregt werden, was zu Löcherleitung im Valenzband führt. Aus den Ratengleichungen für diesen Mechanismus folgt, dass die Anzahl beweglicher Ladungsträger proportional zur zweiten bis dritten Potenz der Pumpleistung ist. Dies deckt sich mit den Ergebnissen der Photoleitfähigkeitsmessungen.
Schließlich werden Yb:YAG-Keramiken sowie Einkristalle in Bezug auf ihre Lasereffizienz verglichen. Die Laserleistung wird bei verschiedenen Auskoppelgraden unter Einbeziehung der Temperatur im aktiven Medium analysiert. In Einklang mit den spektroskopischen Ergebnissen und dem vorgestellten Modell wird ein nichtlinearer Verlustprozess nachgewiesen. Durch Berücksichtigung dieses Laserverlustes in den Laserbedingungen ist nun eine realistische Abschätzung der Besetzungsdichte des oberen Laserniveaus bei hohen Anregungsdichtenmöglich.
Die niedrige Effizienz von Yb:YAG-Scheibenlasern bei hohen
Inversionsdichten kann demnach auf drei Effekte
zurückgeführt werden: Da ein Teil der
Anregungsenergie durch die Erzeugung des Verlustzentrums verloren geht,
ist eine höhere Pumpleistung erforderlich, um die
Schwellinversion zu erreichen. Zudem muss der zusätzliche
Laserverlust aufgrund der Absorption des Verlustzentrums durch eine
erhöhte Schwellinversion ausgeglichen werden. Drittens wird
mit steigender Inversionsdichte überproportional viel
Wärme im aktiven Medium erzeugt. Im Zusammenspiel
führen die einzelnen Effekte zu einer
selbstverstärkenden Degradation des Lasers, womit das
vorgestellte Modell treffend die beobachten Laserverluste in Yb:YAG
Scheibenlaser beschreibt.
The work presented in this thesis aims to identify the fundamental mechanism responsible for the nonlinear losses in Yb:YAG thin-disk lasers that inhibit efficient laser operation at high inversion densities. The investigation of spectroscopic properties, photoinduced electrical conductivity and thin-disk laser performance allows to characterize and model the underlying processes.
Absorption and emission measurements of Yb:YAG single crystals at high xcitation levels reveal that part of the excitation energy of Yb3+ ions is lost at high inversion densities and that saturation of the 4fn–4fn transition at 940 nm is not reached as expected. From the results it is deduced that several Yb3+ ions relax nonradiatively in a cooperative mechanism. This is supported by the superlinear pump power dependence of the photoinduced electrical conductivity in Yb:YAG. Here, Yb3+ excitation leads to the creation of mobile carriers. The determination of the carrier sign shows, that holes in the valence band are the majority carrier in Yb:YAG laser crystals.