In dieser Arbeit wurde die Magnetisierung von tunnelgekoppelten niedrigdimensionalen Elektronensystemen mittels mikromechanischer Cantilever-Magnetometrie experimentell untersucht. Die Magnetisierung ist eine thermodynamische Zustandsgröße, welche bei tiefen Temperaturen den thermodynamischen Grundzustand der Elektronen widerspiegelt. Die Elektronensysteme wurden in modulationsdotierten AlGaAs/GaAs Heterostrukturen realisiert. Bei diesen handelt es sich um zwei, durch eine wenige Nanometer dicke Barriere voneinander getrennte, zweidimensionale Elektronensysteme (2DES).
Die Magnetisierung der tunnelgekoppelten Systeme lässt sich in zwei Regime unterteilen. Bei niedrigen Magnetfeldern kann eine charakteristische Schwebung, bei den beobachteten Oszillationen in den Magnetisierungsmessdaten, beobachtet werden. Dieses ist konsistent mit dem Bestreben der tunnelgekoppelten 2DES ein symmetrisches sowie ein antisymmetrisches Subband zu besetzten. Der Vergleich der experimentellen Daten in diesem Feldbereich mit Rechnungen in einem Einteilchenmodell, welches auf einer modellierten Zustandsdichte beruht, ergibt eine gute Übereinstimmung. Insbesondere können die Magnetisierungsmessdaten ohne eine Variation der energetischen Aufspaltung SAS zwischen dem symmetrischen und antisymmetrischen Subband berechnet werden. Dieses ändert sich beim Vergleich zwischen Magnetisierungsmessdaten bei hohem Magnetfeld, oder einem Magnetfeld in der Ebene des tunnelgekoppelten 2DES, mit Rechnungen im Einteilchenmodell. Als Erklärung dieser Abweichung wird die magnetfeldabhängige Umbesetzung zwischen den tunnelgekoppelten 2DES genutzt. In winkelabhängigen Magnetisierungsmessungen kann eine Oszillation der Amplituden, der Magnetisierung an geradzahligen Füllfaktoren beobachtet werden. Bis zu einem Magnetfeld in der Ebene, bei dem ein magnetischer Zusammenbruch geschieht, kann dieses qualitativ durch eine Abnahme der energetischen Aufspaltung erklärt werden. Bei höheren Magnetfeldern in der Ebene treten verstärkt die Eigenschaften des wechselwirkenden Gesamtsystems zutage. Magnetisierungsmessungen bei hohen Magnetfeldern >20 T ermöglichen die Untersuchung von möglichen Phasenübergängen bei einem Füllfaktor 2.
In this work the magnetization of low-dimensional electron systems has been experimentally investigated using a micromechanical cantilever magnetometer technique. The magnetization is a thermodynamic quantity wich reflects the thermodynamic ground state of the system at low temperatures. The electron systems were realized in modulation-doped AlGaAs/GaAs heterostructures wich are grown with molecular beam epitaxy. The two-dimensional electron systems (2DES) are separated by a barrier of a few nanometers.
The magnetization of the tunnel coupled systems suggest that there exist two regimes. At low fields a characteristic beating pattern in the magnetic oscillation is observed. This is consistent with the formation of a symmetric and antisymmetric subband. The comparison between the magnetization measurements in this field regime and an one-particle-model based on a model density-of-states shows a good agreement. In particular the magnetization measurements can be calculated with a constant energetic separation between the symmetric and the antisymmetric subband. At higher magnetic fields or an magnetic field in-plane with the tunnel-coupled 2DES the energetic separation has a dependency of the magnetic field. The magnetic field induced charge transfer between the tunnel-coupled 2DES can explain this dependency. In magnetization measurements under tilted magnetic fields an oscillation of the amplitude of the magnetization at integer filling factors can be observed if the tilt angle is varied. At low magnetic fields, where no magnetic breakdown occurs this oscillation can be explained by a decrease of the energetic separation. At higher in-plane magnetic fields the magnetization exhibits features that are attributed to the interacting total system. Magnetization measurements at high magnetic fields >20 T allows to investigate possible phase transitions at a filling factor 2.