Im Zuge des Ausbaus des Large Hadron Collider (LHC) am CERN zum High Luminosity LHC (HL-LHC) mit einer instantanen Spitzenluminosität von etwa 7, 5×10^{34} cm^{−2}s^{−1} werden auch die Siliziumspur-Systeme der Experimente aufgerüstet, um dem extrem intensiven Strahlungsfeld mit Fluenzen von bis zu Φeq = 3, 5 × 10^{16} cm^{−2} für die innerste Schicht der Pixel-Detektoren gewachsen zu sein. Insbesondere werden die neuen Sensoren, die derzeit entwickelt werden, aus Bor-dotiertem p-Typ-Silizium hergestellt im Gegensatz zu den vorhandenen n-Typ-Detektoren, um eine höhere Strahlungstoleranz zu erreichen. Diese Arbeit konzentriert sich auf einen speziellen Strahlungsschadenseffekt in p-Typ-Siliziumsensoren, der als ”Boron removal” Effekt bekannt ist. Dieser Effekt zeichnet sich durch die Entfernung von Bor-Dotierungsatomen von ihren Gitterplätzen aus, wodurch sie ihre Akzeptoreigenschaften verlieren. Der ”boron removal” Effekt ist besonders signifikant für p-Typ-Siliziumsensoren, insbesondere im Fall von Low-Gain Avalanche Detektoren (LGADs). Die beobachtete Verringerung des Verstärkungswerts bei LGADs nach Strahlenexposition wird üblicherweise auf die Deaktivierung von Bor-Dotierstoffen während der anfänglichen Bestrahlung zurückgeführt. Dieser Effekt ist eng mit strahlenin-duzierten Defekten verbunden. Im Allgemeinen können die Arten von Volumendefekten, die durch Strahlung verursacht werden, je nach Art der Strahlung variieren, ob es sich um Punktdefekte oder Cluster-Defekte handelt. Zum Beispiel können sowohl Hadronen als auch Leptonen beide Arten von Defekten verursachen, aber Leptonen neigen eher dazu, Punktdefekte zu generieren. Die Eigenschaften dieser Defekte werden durch ihre Bestandteile bestimmt, d.h. die Elemente, aus denen der Defekt besteht, und diese Elemente hängen stark von der Konzentration Konzentration der Dotierung und von Verunreinigungen im Silizium Material wie Sauerstoff oder Kohlenstoff ab. In dieser Arbeit wurden drei Gruppen von Dioden nach Exposition von verschiedenen Arten von Strahlung untersucht. Die erste Gruppe, die 23 GeV Protonen ausgesetzt war, bestand aus EPI-Dioden mit Bor-Dotierungskonzentrationen im Bereich von 6 × 10^{12} bis 1 × 10^{15} cm^{−3} und wurde mit einer Fluenz von Φp = 7 × 10^{13} cm^{−2} bestrahlt. Die zweite Gruppe, die 5,5 MeV Elektronen ausgesetzt war, umfasste sowohl EPI-Dioden als auch Cz-Dioden mit derselben Bor-Dotierungskonzentration von 1 × 1015 cm−3, aber die Fluenz variierte von Φe− = 1 × 10^{15} bis 6 × 10^{15} cm^{−2}. Die dritte Gruppe, die 60Co-Gammastrahlenbestrahlung ausgesetzt war, bestand aus FZ-Dioden mit einer Bor-Dotierungskonzentration von 3, 5 × 10^{12} cm^{−3}. Die Dosis variierte von D = 0, 1 bis 2 MGy. Die Konzentrationen der Hauptverunreinigungen, Sauerstoff und Kohlenstoff, wurden durch die Wachstumstechniken (Czochralski (Cz), Float Zone (FZ) und Epitaxie (EPI)) und die Herstellungsprozesse der Sensoren bestimmt. Zur Charakterisierung strahleninduzierter Defekte wurden die mikroskopischen Techniken der Thermisch Stimulierten Strommessung (TSC) und der Thermisch Stimulierten Kapazitätsmessung (TS-Cap) eingesetzt. Dabei lag der Fokus insbesondere auf den BiOi - Defekten (Bor-Interstitial und Sauerstoff-Interstitial) sowie den Ci Oi-Defekten (Kohlenstoff Interstitial und Sauerstoff Interstitial). Die präsentierten Ergebnisse umfassen die Analyse der Defektkonzentrationen, der Energielevel innerhalb der Bandlücke und ihrer geladenen Zustände bei Raumtemperatur. Die Veränderungen der makroskopischen Eigenschaften wie Leckstrom und Raumladungsdichte nach Bestrahlung werden jeweils durch Strom-Spannungs-(I-V)- und Kapazitäts-Spannungs-(C-V)-Messungen bewertet. Um den Einfluss mikroskopischer Defekte auf makroskopische Eigenschaften zu beurteilen, wurden isothermale Ausheilungsexperimente bei einer Temperatur von 80 ◦C mit variierenden Ausheilzeiten sowie isochronale Temperungen für eine Dauer von 15 Minuten pro Temperaturschritt bis zu einer Temperatur von 300 ◦C durchgeführt.